特許

J-GLOBAL ID：200903085126911891

洗浄方法及びその装置

発明者： 上野 欽也
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-148606
公開番号（公開出願番号）：特開平9-038595
出願日： 1996年05月20日
公開日（公表日）： 1997年02月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハの表面に対して例えばフッ酸処理を行った後純水で洗浄(リンス)するにあたり、水、空気中の酸素、シリコンの反応による反応物の析出を抑え、パーティクルの発生を低減すること。【構成】 ウエハWを回転載置部3に保持して80rpmで回転させ、先ずノズル6からフッ酸溶液60をウエハW表面に供給し、次いでノズル7からウエハW表面に純水70を供給して洗浄し、純水70の供給停止の直前からイソプロピルアルコール(IPA)80を供給する。IPA80は純水70に溶解して、純水70がIPA80により、マランゴニ-効果と回転による遠心力によって押し出されて完全に置換され、これにより純水70が除去される。この後回転数を300rpmで1秒間、次いで2000rpmで4秒間、最後に4000rpmで15秒間回転させてスピン乾燥を行なう。

請求項（抜粋）：

回転載置部に被処理基板を載置して回転させながら、被処理基板の表面に洗浄液を供給して洗浄する工程と、続いて前記被処理基板を回転させながら被処理基板の表面に置換媒体液を供給して前記洗浄液を当該置換媒体液で置換する工程と、その後前記被処理基板を回転させながら被処理基板の表面の置換媒体液を回転による遠心力で除去する工程と、を含み、前記置換媒体液は、前記洗浄液と混合性がありかつ前記洗浄液より表面張力が小さいことを特徴とする洗浄方法。

IPC (3件)：

B08B 3/02 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351

FI (3件)：

B08B 3/02 B ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 351 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210013   出願人：株式会社日立製作所