特許

J-GLOBAL ID：200903043785770338

プラズマCVD装置

発明者： 村田 正義 ,  竹内 良昭 ,  芹沢 曉 ,  縄田 芳一 ,  小川 和彦 ,  真島 浩 ,  吉田 博久
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094598
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354460
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 膜厚分布が均一で迅速にプラズマ成膜を行うことができるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 反応容器31と、この反応容器31に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器31内から収容された放電用のはしご型電極32と、このはしご型電極32にグロー放電発生用電力を供給する電源36とを有し、前記反応容器31内に設置された基板表面に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、前記はしご型電極32と電源36を結ぶ給電線に同軸ケーブル53〜56を用い、かつ前記はしご型電極32を接地線で接地しない構成にした。

請求項（抜粋）：

反応容器と、この反応容器に反応ガスを導入し、排出する手段と、前記反応容器内から収容された放電用のはしご型電極すなわちラダーアンテナ型電極あるいははしご状平面形コイル電極と、このはしご型電極にグロー放電発生用電力を供給する電源とを有し、前記反応容器内に設置された基板表面に非晶質薄膜あるいは微結晶薄膜あるいは薄膜多結晶を形成するプラズマCVD装置において、前記はしご型電極と電源を結ぶ給電線に同軸ケーブルを用い、かつ前記はしご型電極を接地線で接地しない構成にしたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 B ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ化学蒸着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-054113   出願人：三菱重工業株式会社
• 特開昭62-130277
  
• 光電変換装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055726   出願人：キヤノン株式会社
• プラズマCVD成膜方法と装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-226157   出願人：日本真空技術株式会社