特許
J-GLOBAL ID：200903087127862633
プラズマCVD成膜方法と装置
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077144
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 膜へのダメージを少なくし高速で良質の多層膜を成膜できるプラズマCVD成膜方法を提供すること及びこの方法の実施に適したプラズマCVD成膜装置を提供すること【構成】 成膜用の複数の真空室により多層膜をプラズマCVDにより基板に成膜する方法に於いて、各真空室2、3の電極11、12の高周波を各真空室に導入した反応ガスの種類に応じて高速でしかもダメージのない成膜を行なえる周波数に設定する。各真空室内の各電極に周波数可変の高周波電源を夫々設ける。【効果】 膜質の良い多層膜製品を生産性良くプラズマCVDにより製造出来る
請求項（抜粋）：
内部に高周波を印加した電極とこれに対向した対向電極を設けると共に室壁を貫通して反応ガス導入管を設けた真空室を複数室設け、該対向電極に基板を取付け、各真空室内に各種反応ガスを導入すると共に電極間にプラズマを発生させて基板上に薄膜を形成し、該基板を各真空室を1巡させて該基板上に多層膜を形成する方法に於いて、各真空室の電極の高周波を各真空室に導入した反応ガスの種類に応じて高速でしかもダメージのない成膜を行なえる周波数に設定することを特徴とするプラズマCVD成膜方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
