特許
J-GLOBAL ID：200903043793850715
スパッタリング用ルテニウムターゲット及びスパッタリング用ルテニウムターゲットの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 大輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-345663
公開番号（公開出願番号）：特開2005-113174
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【解決課題】スパッタリング用のルテニウムターゲットについて、均一な薄膜を製造可能なもの及びかかるターゲットの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、ルテニウム又はルテニウム合金よりなるスパッタリング用ルテニウムターゲットにおいて、電解析出法による柱状晶組織を有し、X線回折法により測定されるスパッタ面の(002)結晶方位含有率が70〜100%である請求項1記載のスパッタリング用ルテニウムターゲットである。このように(002)面の配向性を向上させるためには、電解析出したルテニウム又はルテニウム合金を1000〜1500°Cで加熱することによる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ルテニウム又はルテニウム合金よりなるスパッタリング用ルテニウムターゲットにおいて、
電解析出法による柱状晶組織を有し、
X線回折法により測定されるスパッタ面の(002)結晶方位含有率が70〜100%であるスパッタリング用ルテニウムターゲット。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C14/34 A
, H01L21/285 S
4K029AA06
, 4K029BA01
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 4K029DC07
, 4M104BB04
, 4M104DD40
, 4M104GG16
