特許
J-GLOBAL ID：200903043801702798
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-298422
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162471
出願日： 1994年12月01日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 電流利得や遮断周波数特性を向上させることができるヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。【構成】 GaAs基板1上にコレクタ層3、ベース層4およびエミッタ層5を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ベース層4は少なくとも部分的にカーボンがドープされ、Pの含有率が層内の厚さ方向で変化する傾斜型GaAsPベース層からなる。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にコレクタ層、ベース層およびエミッタ層を形成してなるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、ベース層は少なくとも部分的にカーボンがドープされ、Pの含有率が層内の厚さ方向で変化する傾斜型GaAsPベース層からなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
