特許
J-GLOBAL ID：200903043817234590
透明電極層の加工方法およびそれを用いた薄膜光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-302061
公開番号（公開出願番号）：特開2008-118058
出願日： 2006年11月07日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】分離溝に壁を形成せずガラスにダメージを与えることなく、良好な加工性で透明電極層を絶縁分離する方法を提供し、集積型薄膜光電変換装置の出力特性を改善する。【解決手段】ガラス41上に絶縁性下地層42aと酸化亜鉛層42bが順次積層された透明電極層に対し、Nd-YVO4(ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー)レーザーから出力される第二高調波(波長532nm)であり、ビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであるレーザービームで分離溝43を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
少なくとも、透明絶縁基板および該透明絶縁基板上に形成された酸化亜鉛を主成分とする透明電極層を含み、
「該透明電極層が複数の部分に分離されている」ことを特徴とする「透明電極層付き透明絶縁基板」の製造方法であって、
透明電極層に対してレーザービームを用いて深さ方向に複数の分離溝を形成する工程を含み、
該工程における該レーザービームがNd-YVO4(ネオジウム・ワイ・ブイ・オー・フォアー)レーザーから出力される第二高調波(波長532nm)であることを特徴とする
透明電極層付き透明絶縁基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051CA07
, 5F051CA08
, 5F051CB27
, 5F051DA04
, 5F051FA02
, 5F051FA08
, 5F051GA03
, 5F051JA05
