特許

J-GLOBAL ID：200903084525710151

透明電極層の加工方法およびそれを用いた薄膜光電変換装置

発明者： 目黒 智巳 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 株式会社カネカ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-310021
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121011
出願日： 2004年10月25日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】絶縁性下地層にダメージを与えることなく効率よく透明電極層を絶縁分離する方法、集積型薄膜光電変換装置の出力特性および信頼性を向上する。【解決手段】ガラス基板41上に順次堆積された絶縁性下地層42a、導電性酸化膜層42bからなる透明電極層42、光電変換層44、裏面電極層46、封止樹脂層48、有機保護層49を含んでいる。この光電変換装置に対しては、光電変換されるべき太陽光はガラス基板41側から入射される。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に少なくとも1の絶縁性下地層と、酸化亜鉛層を順次積層した透明電極層に対しレーザービームを用いて深さ方向に分離溝を形成する工程において、該レーザービームは、そのビーム断面の出力強度分布が均一化されかつビーム先端部が平らであり、形成される分離溝の先端部は、該絶縁性下地層を突き抜けないことを特徴とする透明電極層の加工方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (17件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA14 ,  5F051BA18 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA07 ,  5F051CA08 ,  5F051CA15 ,  5F051CB27 ,  5F051DA15 ,  5F051FA02 ,  5F051FA08 ,  5F051GA03 ,  5F051JA04 ,  5F051JA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-276781   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041893   出願人：鐘淵化学工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 薄膜光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-041893   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 特開昭63-179581