成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-209944
公開番号（公開出願番号）：特開2008-041700
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：

【課題】バリヤ層や補助シード膜等の成膜プロセス条件を適切に選択して凹部の底部を削り取り、削り込み窪み部の底部の電気抵抗上昇の原因となる層を取り除きつつ側面や上面に薄膜を形成することが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】処理容器34内で金属ターゲット78をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、載置台44上に載置した被処理体Wにバイアス電力により引き込んで表面に凹部5が形成されている被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、凹部の最下層の底部を削って削り込み窪み部12を形成しつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面全体に第1の金属を含む薄膜よりなるバリヤ層10を形成するバリヤ層形成工程と、削り込み窪み部の底部を更に削って凹部内の表面を含む被処理体の表面に第2の金属を含む薄膜よりなるメッキ用の補助シード膜14Aを形成する補助シード膜形成工程とを有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器内で金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、該金属粒子を前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで表面に凹部が形成されている前記被処理体の表面に前記金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、前記凹部の最下層の底部を削って削り込み窪み部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面全体に第1の金属を含む薄膜よりなるバリヤ層を形成するバリヤ層形成工程と、前記削り込み窪み部の底部を更に削って前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面に第2の金属を含む薄膜よりなるメッキ用の補助シード膜を形成する補助シード膜形成工程と、を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/320 , H01L 23/52 , C23C 14/06

FI (3件)：

H01L21/90 A , H01L21/88 R , C23C14/06 N

Fターム (45件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA16 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC12 , 4K029DC27 , 4K029DC34 , 4K029DC35 , 4K029EA03 , 4K029EA09 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM08 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN01 , 5F033NN05 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033PP06 , 5F033PP17 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ11 , 5F033QQ14 , 5F033XX09 , 5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

研磨スラリー及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-259279 出願人：東京エレクトロン株式会社

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