特許

J-GLOBAL ID：200903043834550250

窒化物系半導体用基板および窒化物系半導体装置ならびにその製造方法

発明者： 林 伸彦 ,  狩野 隆司 ,  大保 広樹 ,  國里 竜也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273966
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083753
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】基板周辺部においても歩留まり良く素子を製造することが可能な窒化物系半導体用基板を提供する。【解決手段】 その上に窒化物系半導体2が形成される窒化物系半導体用基板(基板)1と、窒化物系半導体用基板1の表面の端部に設けられた傾斜部1aとを備えている。

請求項（抜粋）：

その上に窒化物系半導体が形成される基板と、前記基板の表面の端部に設けられた傾斜部とを備えた、窒化物系半導体用基板。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323

Fターム (12件)：

5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• サファイア基板、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-139906   出願人：ソニー株式会社
• 半導体基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-226816   出願人：株式会社日立製作所