特許

J-GLOBAL ID：200903014088629880

サファイア基板、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法

発明者： 安斎 信一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139906
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331940
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 エッジ近傍の成長層の表面が中央の成長層の表面より高くなるのを防止することができるサファイア基板、窒化物系III-V族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板1の結晶成長面のエッジ1aに対して面取り加工を施す。GaN系半導体レーザは、エッジ1aが面取りされたサファイア基板1上に、MOCVD法によりレーザ構造を形成するGaN系半導体層を成長させることにより製造する。

請求項（抜粋）：

結晶成長面のエッジに面取り加工が施されていることを特徴とするサファイア基板。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 29/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (79件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DB01 ,  4G077DB04 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FG11 ,  4G077FG16 ,  4G077HA12 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030LA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA77 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AF01 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045BB01 ,  5F045BB02 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F045HA22 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL16 ,  5F103LL17 ,  5F103PP07 ,  5F103PP18 ,  5F103RR01 ,  5F103RR02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 第2高調波発生デバイス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-091962   出願人：イビデン株式会社
• 窒化物化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-262169   出願人：昭和電工株式会社