特許

J-GLOBAL ID：200903043835377322

基板の処理方法及び処理装置

発明者： 嵯峨 幸一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-130494
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305676
出願日： 2006年05月09日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】超臨界二酸化炭素を媒体として使用し、流量が大きい場合においても、超臨界二酸化炭素と薬液とを均一に混合して、基板の処理能力を向上させることができる基板の処理方法を提供する。【解決手段】基板を処理する圧力よりも高い圧力下で超臨界流体に薬液を混合した後、基板を処理する圧力において、薬液が混合された超臨界流体を用いて、基板を処理する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

超臨界流体を媒体として用いる基板の処理方法において、 前記基板を処理する圧力よりも高い圧力下で前記超臨界流体に薬液を混合した後、 前記基板を処理する圧力において、前記薬液が混合された超臨界流体を用いて、前記基板を処理する ことを特徴とする基板の処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L21/304 645Z ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/304 648K ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/306 J

Fターム (3件)：

5F043BB30 ,  5F043EE31 ,  5F046MA07

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公平7-7756号公報
  
• 微小構造体の洗浄方法及び洗浄装置、半導体装置とその製造方法、並びに微小構造体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-224193   出願人：ソニー株式会社
• 表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-021097   出願人：ソニー株式会社
• 特許3564101号公報