特許
J-GLOBAL ID:200903043843524342

加速管

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川瀬 茂樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-142902
公開番号(公開出願番号):特開平6-333524
出願日: 1993年05月21日
公開日(公表日): 1994年12月02日
要約:
【要約】【目的】 イオンビ-ムを加速電極、接地電極、二次電子抑制電極を通し直接に対象物に或は減速電極を通して対象物に照射する。イオンビ-ム電流が大きい時や加速電圧が低い場合は空間電荷の作用でビ-ムが拡がる。長いビ-ム輸送系ではビ-ムの広がりによりビ-ムの損失が増える。これを解決する。【構成】 二次電子抑制電極の周囲に、磁化方向が互いに反対方向になるように磁石を並べた磁石列を、1段あるいは複数段並べる。これによってイオンビ-ムを任意の断面形状にすることができる。ビ-ムの発散を防ぐこともできる。イオンビ-ム輸送系での損失を少なくすることができる。
請求項(抜粋):
イオン源で生成されたイオンビ-ムを加速する正電圧にバイアスされた加速管と、試料にイオンビ-ムが照射されることにより発生する二次電子を試料側に追い返すための負にバイアスされた二次電子抑制電極と、二次電子抑制電極の周面に添って磁化方向が放射線上にありしかも交替するように並べた1段または複数段の磁石とを含み、二次電子抑制電極の中を通り抜けるイオンビ-ムを収束させあるいは所望の断面形状に整形するようにしたことを特徴とする加速管。
IPC (3件):
H01J 37/08 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/30
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • イオン源装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-320806   出願人:石川島播磨重工業株式会社
  • 特開昭54-081597
  • 特開昭60-257053
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