半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055146
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259298
出願日： 1992年03月13日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法の内、多層配線の層間絶縁膜を形成する方法に関するものであり、より微細な配線間を埋め込む層間絶縁膜の形成技術を提供する。【構成】回路素子と絶縁膜(BPSG膜)2が形成され、TiN/AlSiCu/TiN/Tiの多層膜によって第1の配線パタ-ン4の形成されたSi基板1上に、プラズマCVD法でSiO2膜6を堆積し、その後ドライエッチングでSiO2膜6を異方性エッチングし第1の配線パタ-ン4表面を露出させる。つぎに常圧CVD法でTEOSとオゾンを含む酸素の熱分解反応によりSiO2膜10を堆積して層間絶縁膜が形成される。このとき、SiO2膜10を形成する反応は表面反応性が強く、その堆積速度が下地の種類によって異なるという性質を有しているが、基板表面が絶縁膜と一種類の金属膜表面になっているので、オ-バ-ハング形状の発生を防止し、より微細な配線間を埋め込むことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、この第1の絶縁膜上に多層の金属膜からなる第1の導体パタ-ンを形成する工程と、この第1の導体パタ-ンの側面に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第1及び第2の絶縁膜上及び前記第1の導体パタ-ン上に表面反応性の強い気相化学反応で第3の絶縁膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-058836
特開昭59-215746
特開平3-204935

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