N型熱電半導体

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074983
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】熱電特性が向上した熱電半導体焼結素子を製造すること。【解決手段】熱電冷却体としての主成分系半導体と、前記主成分系半導体のキャリア濃度調整用のドーパントとを有するN型熱電半導体において、前記ドーパントとしてハロゲン化銀を使用することを特徴とするN型熱電半導体としたこと。

請求項（抜粋）：

熱電冷却体としての主成分系半導体と、前記主成分系半導体のキャリア濃度調整用のドーパントとを有するN型熱電半導体において、前記ドーパントとしてハロゲン化銀を使用することを特徴とするN型熱電半導体。

IPC (2件)：

H01L 35/16 , H01L 35/34

FI (2件)：

H01L 35/16 , H01L 35/34

引用特許：

審査官引用 (14件)

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