特許
J-GLOBAL ID:200903043861738872

応力緩和層形成装置及びこれを有する半導体製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-141713
公開番号(公開出願番号):特開2001-326235
出願日: 2000年05月15日
公開日(公表日): 2001年11月22日
要約:
【要約】【課題】 複雑な工程を必要とせず、低コストで、且つ気泡等を生ぜずに安定的な強度の応力緩和層を形成することができる応力緩和層形成装置及びこれを有する半導体製造装置を提供すること。【解決手段】 半導体チップ200の応力緩和層250形成領域に対して圧電素子126eを用いて樹脂を吐出させる樹脂吐出用ヘッド126と、この樹脂吐出用ヘッドの動作を制御するヘッド制御部125と、を有することで応力緩和層形成装置100を構成する。
請求項(抜粋):
半導体チップの応力緩和層形成領域に対して樹脂を吐出させる樹脂吐出用ヘッドと、この樹脂吐出用ヘッドの動作を制御するヘッド制御部と、を有することを特徴とする応力緩和層形成装置。
IPC (3件):
H01L 21/56 ,  B05B 1/14 ,  H01L 21/60
FI (3件):
H01L 21/56 E ,  B05B 1/14 Z ,  H01L 21/92 602 L
Fターム (14件):
4F033AA14 ,  4F033BA03 ,  4F033CA04 ,  4F033DA05 ,  4F033EA01 ,  4F033LA13 ,  4F033NA01 ,  5F061AA02 ,  5F061BA03 ,  5F061CA10 ,  5F061CB05 ,  5F061DA00 ,  5F061DB01 ,  5F061FA06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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