半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028475
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214969
出願日： 1997年01月28日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】絶縁ゲート型トランジスタのオン抵抗を低減することである。【解決手段】本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、SOI構造を利用した立体的なデバイスであり、ダブルゲート(G1,G2)構造を採用するとともに、トレンチゲート(230)と、このトレンチゲートに対向するトレンチドレイン(220a,220b)を配置する。ゲート電極の周囲に形成される低抵抗のキャリア蓄積層は、チャネル領域(反転チャネル)に連続し、かつ基板の垂直方向に伸びる形態で形成される。また、トレンチゲートとトレンチドレインにより挟まれた低濃度ドレイン領域(200)全体がキャリアの均一な移動の経路として機能し、電流経路の断面積が増大する。よって、オン抵抗を劇的に低減することが可能である。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲート型の半導体装置において、電界緩和領域として機能する低濃度ドレイン領域にまで、チャネル領域から延長して設けられた、キャリア蓄積層形成機能をもつトレンチゲートと、前記トレンチゲートに対向するように設けられたトレンチドレインと、を有することを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 W , H01L 29/78 653 B

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開平1-206666
特開平4-127476
特開平3-112165

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