特許
J-GLOBAL ID：200903050504235508

電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
向井 幹雄

向井 幹雄 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026270
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204191
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 チャネル領域で誘起されるキャリア数を多くして、電流駆動能力及び相互コンダクタンスを高める。【構成】 Si層21がトランジスタの活性層になっており、ソース/ドレイン領域である不純物層26a、26b同士の間のチャネル領域を囲む4つの面に、ゲート電極としての多結晶Si膜23a〜23dが形成されている。このため、単一ゲート構造や二重ゲート構造に比べて、チャネル領域で誘起されるキャリア数が多い。
請求項（抜粋）：
チャネル領域を囲む4つの面のうちの少なくとも3つの面にゲート電極が設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 X ,  H01L 29/78 301 Y ,  H01L 29/78 301 P
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-250770
  • 特開昭60-017964
  • 特開平3-245573
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM