電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土屋勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-026270
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204191
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】チャネル領域で誘起されるキャリア数を多くして、電流駆動能力及び相互コンダクタンスを高める。【構成】 Si層21がトランジスタの活性層になっており、ソース/ドレイン領域である不純物層26a、26b同士の間のチャネル領域を囲む4つの面に、ゲート電極としての多結晶Si膜23a〜23dが形成されている。このため、単一ゲート構造や二重ゲート構造に比べて、チャネル領域で誘起されるキャリア数が多い。

請求項（抜粋）：

チャネル領域を囲む4つの面のうちの少なくとも3つの面にゲート電極が設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 Y , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-250770
特開平3-250770
特開昭60-017964

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