エッチング液、エッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅原正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-022500
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224116
出願日： 2002年01月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：

【要約】【課題】 Al又はAl合金を侵食することなく、Au又はAu合金をエッチングすることができるエッチング液及びエッチング方法を提供する。さらに、これらを用いて、金属電極の電極パターンを良好に形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェーハW上に、Au又はAu合金にて構成される第一層1と、Al又はAl合金にて構成される第二層2と積層し、積層体3とする。フォトリソグラフィ技術により、電極パターンに対応するフォトレジスト層13を形成したのち、露出する第二層2及び第一層1をエッチングして金属電極10とする。このとき、第一層1を、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液をエッチング液として用いてエッチングする。

請求項（抜粋）：

半導体装置の電極パターンの形成に用いられるエッチング液であって、ヨウ素とヨウ化カリウムとアルコールとを含む溶液であることを特徴とするエッチング液。

IPC (5件)：

H01L 21/308 , C23F 1/44 , H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (6件)：

H01L 21/308 F , C23F 1/44 , H01L 21/28 E , H01L 21/28 301 B , H01L 21/28 301 Z , H01L 33/00 E

Fターム (24件)：

4K057WA13 , 4K057WB01 , 4K057WB05 , 4K057WE01 , 4K057WE30 , 4M104AA04 , 4M104BB09 , 4M104BB11 , 4M104CC01 , 4M104DD64 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 5F041CA34 , 5F041CA36 , 5F041CA74 , 5F041CA85 , 5F041CA87 , 5F041CA92 , 5F041CA98 , 5F043AA24 , 5F043AA25 , 5F043BB16 , 5F043BB17 , 5F043GG02

引用特許：

審査官引用 (5件)

エッチング液
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-306001 出願人：三菱化学株式会社, シャープ株式会社
特公昭48-008706
特開昭58-067078

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