特許
J-GLOBAL ID：200903043884901606
半導体レーザの構造及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-059256
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255954
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 従来、半導体基板をエッチングして形成することが困難であったホールバーニングを抑制する回折格子を、容易にかつ精度良く形成し得る半導体レーザの構造及びその製造方法を提供する。【構成】 バリア層9と上クラッド層4の間に、導波路方向に等ピッチΛで並列に埋め込まれたストライプ状の埋込回折格子11の高さを一定にし、幅Wを導波路の略中央に設けられたλ/4位相シフト部7に近づくにつれて徐々に小さくする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にこの半導体基板より小さいエネルギーギャップを持つ材料からなる活性層、この活性層の上にこの活性層よりエネルギーギャップの大きいバリア層、このバリア層とこのバリア層の組成と同一組成のクラッド層との間に導波路方向に沿って一定ピッチで並列に埋め込まれ、導波路方向の幅と導波路方向に垂直方向の長さと高さとを有するストライプ状の材料からなり、上記高さが一定で上記幅が導波路方向に変化する埋込回折格子を備えたことを特徴とする半導体レーザの構造。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01S 3/1055
, H01S 3/133
H01S 3/18
, H01S 3/1055
, H01S 3/133
