特許
J-GLOBAL ID：200903043889237054
圧電体素子とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-216865
公開番号（公開出願番号）：特開2008-042069
出願日： 2006年08月09日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】本発明は、結晶配向性の向上と膜のクラックを抑制した圧電体素子およびその製造方法の提供を目的とする。【解決手段】下部電極層4上に気相成長法により配向制御層5を形成することで、下部電極層4と圧電体層6との元素の拡散およびそれによる組成のズレを抑制し、結晶配向性の高い圧電体層6が得られると共に、配向制御層5に圧縮応力を付与することで、液相成長法での圧電体層6の成膜時に生じる引張り応力に起因したクラックの発生を抑制することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された下部電極層と、前記下部電極層上に気相成長法により形成された配向制御層と、前記配向制御層上に液相成長法により形成された圧電体層と、前記圧電体層上に形成された上部電極層と、を備えたことを特徴とする圧電体素子。
IPC (5件)：
H01L 41/09
, H01L 41/083
, H01L 41/22
, H01L 41/24
, H01L 41/187
H01L41/08 C
, H01L41/08 Q
, H01L41/08 L
, H01L41/22 Z
, H01L41/22 A
, H01L41/18 101D
, H01L41/18 101J
