特許

J-GLOBAL ID：200903043908874362

層状構造酸化物薄膜の乾式エッチング方法

発明者： セシュ ビー. デスー ,  ウェイ パン
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-190899
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181128
出願日： 1995年07月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【課題】 層状構造酸化物強誘電体薄膜を乾式エッチングする方法およびそれにより層状構造酸化物強誘電体薄膜素子をパターン形成する方法を提供すること。【解決手段】 基板上の層状構造酸化物強誘電体薄膜をプラズマによりエッチングする方法であって、薄膜を有する基板をチャンバー内に置く工程、チャンバー内にCHClFCF3を充填する工程およびチャンバー内で放電を行って該薄膜をエッチングする工程を包含するエッチング方法。

請求項（抜粋）：

基板上の層状構造酸化物強誘電体薄膜をプラズマによりエッチングする方法であって、以下の工程:該薄膜を有する基板をチャンバー内に置く工程;該チャンバー内にCHClFCF3を充填する工程;および該チャンバー内で放電を行って該薄膜をエッチングする工程を包含する、方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 A ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• チタン酸ジルコン酸鉛および酸化ルテニウム薄膜の反応性イオンエッチング方法及びそれを用いて製造される半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-333826   出願人：シャープ株式会社