特許
J-GLOBAL ID：200903043924504192
スピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法とそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-345434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285419
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 フリー磁性層に加わる有効磁界の減少や、フリー磁性層の磁化の方向と反対の方向に磁場を作用させる磁界が生じにくく、上記フリー磁性層の磁区制御を良好に行うことができる安定性に優れたスピンバルブ型薄膜素子およびその製造方法を提供すること。また、それを備えた薄膜磁気ヘッドを提供すること。【解決手段】 ハードバイアス層6、6が、フリー磁性層5と同じ階層位置に配置され、上記ハードバイアス層6、6の上面6Aが、積層体a1の側面b1、b1上端d1、d1より基板K側の位置で上記積層体a1の側面b1、b1と接合されているものとする。また、ハードバイアス層6、6の上面6Aが、上記ハードバイアス層6、6の最上位置と同じまたは最上位置よりも基板K側の位置で上記積層体a1の側面b1、b1と接合されているものとすることが好ましい。
請求項（抜粋）：
基板上に、反強磁性層と、 この反強磁性層と接して形成され、 前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記反強磁性層と前記固定磁性層と前記非磁性導電層と前記フリー磁性層とが少なくとも積層されてなる積層体の両側に形成され、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記ハードバイアス層上に形成されて前記積層体に検出電流を与える導電層とを有するスピンバルブ型薄膜素子であり、前記ハードバイアス層は、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置され、前記ハードバイアス層の上面は、前記積層体の側面上端より基板側の位置で前記積層体の側面と接合されていることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。
Fターム (4件)：
5D034BA04
, 5D034BB12
, 5D034CA08
, 5D034DA07
