特許
J-GLOBAL ID:200903043977202007

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-249627
公開番号(公開出願番号):特開平10-098135
出願日: 1996年09月20日
公開日(公表日): 1998年04月14日
要約:
【要約】【課題】樹脂封止後の熱処理において、封止樹脂7の収縮によりパッケージが反るのを防止し、リード成型時の外形寸法精度を向上させた半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体チップ3の表面に形成する封止樹脂7の厚さH5と、半導体チップ3の裏面側に形成する封止樹脂7の厚さH6とが等しくなるような封止金型を用いて、半導体チップ3とアイランド2及びインナーリード4とを樹脂封止する。このとき、インナーリード4の両側に形成される封止樹脂7の厚さH1,H2に対して、半導体チップ3の裏面側に形成する封止樹脂7の厚さH6を大きくとる。樹脂歪は、半導体チップ3の両側でバランスするためパッケージに反りが生じるという問題は解決する。
請求項(抜粋):
半導体チップ搭載部に半導体チップを搭載固定し、前記半導体チップ搭載部と同一水平面状に位置する複数のリードと前記半導体チップの各電極とを複数のボンディングワイヤーにより接続し、前記半導体チップ搭載部と前記半導体チップと前記リードの所定の部分と前記ボンディングワイヤーとを封止樹脂により封止した半導体装置において、前記半導体チップの表面に形成した前記封止樹脂の厚さと、前記半導体チップの裏面側に形成した前記封止樹脂の厚さとを等しくしたことを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 樹脂封止半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-046523   出願人:日本電気株式会社

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