特許

J-GLOBAL ID：200903044003027727

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 板垣 奈穂 ,  岩崎 達哉 ,  田 透
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314243
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130814
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】電界効果移動度や電流オン・オフ比などのトランジスタ特性に優れ、且つ、界面特性に優れた、信頼性の高い薄膜トランジスタを再現性良く実現する。【解決手段】酸化インジウムからなる活性層(チャネル層)11を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、活性層として酸化インジウム膜を形成する工程と、形成された酸化インジウム膜に酸化雰囲気中で熱処理を加える工程と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。熱処理は150°C以上450°C以下の酸化雰囲気中で行われることが望ましい。熱処理を加える工程前の酸化インジウム膜がアモルファスであり、熱処理を加える工程後の酸化インジウム膜が結晶であることが望ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化インジウムからなる活性層を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、 活性層として酸化インジウム膜を形成する工程と、形成された前記酸化インジウム膜に酸化雰囲気中で熱処理を加える工程と、を含むことを特徴とする、薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G

Fターム (52件)：

2H092JA28 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092MA05 ,  2H092MA22 ,  2H092NA05 ,  2H092NA21 ,  5F110AA05 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110PP10 ,  5F110QQ14 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152BB03 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152EE14 ,  5F152FF21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• トランジスタ構造及びその製作方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2005-501592   出願人：ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ