特許

J-GLOBAL ID：200903059442096627

トランジスタ構造及びその製作方法

発明者： ウェイジャー,ジョン・エフ,ザ・サード ,  ホフマン,ランディ・エル
出願人/特許権者： ザ・ステート・オブ・オレゴン・アクティング・バイ・アンド・スルー・ザ・ステート・ボード・オブ・ハイヤー・エデュケーション・オン・ビハーフ・オブ・オレゴン・ステート・ユニバーシティ
代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  田中 英夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-501592
公開番号（公開出願番号）：特表2006-502597
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2006年01月19日
要約：

トランジスタ構造の少なくとも一部分が実質的に透明であるエンハンスメント・モード電界効果トランジスタである。該トランジスタの一変形形態は、ZnO、SnO2及びIn2O3から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。実質的に透明な材料から構成されるゲート絶縁体層は、チャネル層/ゲート絶縁体層境界面を形成するようにチャネル層に隣接して配置される。該トランジスタの第2の変形形態は、アニーリングにより生成される実質的に絶縁性のZnO、SnO2及びIn2O3から選択される実質的に透明な材料から構成されるチャネル層を含む。該トランジスタを含む装置、及び該トランジスタを作る方法も開示されている。

請求項（抜粋）：

ZnO、SnO2及びIn2O3から選択された実質的に絶縁性で実質的に透明な材料から構成されるチャネル層と、 実質的に透明な材料から構成され且つチャネル層/ゲート絶縁体層境界面を形成するように前記チャネル層に隣接して配置されたゲート絶縁体層と、 前記チャネル層/ゲート絶縁体層境界面に蓄積するため電子を前記チャネル層に注入することが可能であるソースと、 電子を前記チャネル層から抽出することが可能であるドレーンとを備え、 エンハンスメント・モードで動作するよう構成されている電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (10件)：

H01L29/78 618B ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/50 M ,  H01L27/10 671C

Fターム (84件)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092JA28 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB61 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA25 ,  2H092NA02 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F083AD02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG04 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK11 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK39 ,  5F110NN72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-264885   出願人：科学技術振興事業団
• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068270   出願人：新技術事業団