特許
J-GLOBAL ID：200903044006277627

シリコンウェーハおよびその製造方法

発明者：
小池 康夫

小池 康夫 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057159
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】表面近傍に結晶欠陥がなく、IG処理を施さない場合であっても、デバイス製造工程において優れたゲッタリング効果を有するシリコンウェーハを提供できる。【解決手段】(1) 酸素濃度が11×1017〜17×1017atoms/cm3(OLD ASTM)、炭素濃度が1×1016〜15×1016atoms/cm3(NEW ASTM)の範囲に制御されたシリコンウェーハであって、その表面および表面近傍に酸素起因による結晶欠陥が除去された無欠陥層が形成され、500〜1000°Cの温度で1時間〜24時間の熱処理を施した場合に、内部に1×104個/cm2以上の酸素析出物が形成されることを特徴とするシリコンウェーハである。(2) 酸素濃度が11×1017〜17×1017atoms/cm3(OLD ASTM)、炭素濃度が1×1016〜15×1016atoms/cm3(NEW ASTM)の範囲に制御されたシリコンウェーハを1100°C〜1380°Cの温度で1時間〜10時間の熱処理を施すことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。また、上記(2)の製造方法において、1100°C〜1380°Cの熱処理を不活性ガス雰囲気、不活性ガスと酸化性ガスとの混合ガス雰囲気、または水素ガスや水素含有ガス雰囲気で行うのが望ましい。
請求項（抜粋）：
酸素濃度が11×1017〜17×1017atoms/cm3(OLD ASTM)、炭素濃度が1×1016〜15×1016atoms/cm3(NEW ASTM)の範囲に制御されたシリコンウェーハであって、その表面および表面近傍に酸素起因による結晶欠陥が除去された無欠陥層が形成され、500〜1000°Cの温度で1時間〜24時間の熱処理を施した場合に、内部に1×104個/cm2以上の酸素析出物が形成されることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/322 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 21/322 Y ,  C30B 29/06 A ,  H01L 21/205
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077FE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 特開昭58-197716
  • 特開昭60-094722
  • 特開平3-184345
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM