特許
J-GLOBAL ID：200903044010882594
半導体装置とその製造方法及びこの半導体装置を用いた実装構造体とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-041425
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237806
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置を実装基板にフェイスダウン接続する際、耐熱疲労性等を確保するため、半導体チップと実装基板との間の空隙に樹脂を充填するが、チップごとに充填を行うので、コストがかかっていた。【解決手段】 半導体チップ5の表面にリフロー時に溶融可能な樹脂3が設けられ、接続用電極4の先端は樹脂3と同一面に位置している。半導体チップ5を実装基板6に実装し、リフローすると、樹脂3が溶融し、半導体チップ5は実装基板に固着される。したがって、従来の樹脂充填工程は不要になり、ウェハごとに保護膜の形成を行うのでコストも低下する。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に設けられたバンプ電極と、前記半導体チップの表面を被覆するとともに、前記バンプ電極の上面を露出させ、半導体チップの実装時に溶融され、半導体チップを実装基板に固着するとともに封止する保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/321
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 L
, H01L 21/92 604 S
