特許

J-GLOBAL ID：200903044012031370

成膜方法および成膜装置

発明者： 多田 國弘 ,  横井 裕明 ,  若林 哲 ,  成嶋 健索
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-165418
公開番号（公開出願番号）：特開2004-232080
出願日： 2003年06月10日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：

【課題】プラズマCVDにより成膜される膜の成膜において、膜中の残留物を低減することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】処理チャンバー内で被処理基板にCVDによりTi膜を成膜するにあたり、TiCl4ガス、H2ガス、Arガスを導入しつつ第1のプラズマを生成する第1ステップと、TiCl4ガスを停止し、H2ガス、Arガスを導入しつつ第2のプラズマを生成する第2ステップとを交互に複数回繰り返す。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

処理チャンバー内で被処理基板に成膜しようとする膜の成分を含む化合物ガスと還元ガスとを供給するとともに、チャンバー内でプラズマを生成して被処理基板上にCVDにより薄膜を形成する成膜方法であって、 前記化合物ガスおよび還元ガスを導入しつつ第1のプラズマを生成する第1ステップと、前記還元ガスを導入しつつ第2のプラズマを生成する第2ステップとを交互に複数回繰り返すことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

FI (4件)：

C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (19件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA03 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030KA41 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD86 ,  4M104FF18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 金属層の形成方法、半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-305200   出願人：富士通株式会社