特許
J-GLOBAL ID：200903006778864510

金属層の形成方法、半導体装置の製造方法

発明者：
大塚 信幸

大塚 信幸 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-305200
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109914
出願日： 2001年10月01日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】 CVDで純度の高い金属層を形成する方法を提供する。【解決手段】 金属層の形成方法は、目的厚さの金属層を気相成長法(CVD)で形成する方法であって、(A)目的厚さと較べて著しく薄い厚さの金属層をCVDで堆積する工程と、(B)前記工程(A)の後、原料を供給せず、堆積した層の表面状態を変化させる工程と、(C)前記工程(A)と、(B)とを繰り返し、目的厚さの金属層を形成する工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
目的厚さの金属層を気相成長法(CVD)で形成する方法であって、(A)目的厚さと較べて著しく薄い厚さの金属層をCVDで堆積する工程と、(B)前記工程(A)の後、原料を供給せず、堆積した層の表面状態を変化させる工程と、(C)前記工程(A)と、(B)とを繰り返し、目的厚さの金属層を形成する工程と、を含む金属層の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/90 A
Fターム (45件)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA17 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030HA15 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP04 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX10
引用特許：
審査官引用 (8件)
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