特許

J-GLOBAL ID：200903044012098386

フリップチップ用窒化物半導体発光素子

発明者： 孔 文 憲 ,  金 容 天 ,  李 哉 勲 ,  白 亨 基
出願人/特許権者： 三星電機株式会社
代理人 (2件)： 三好 秀和 ,  伊藤 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174617
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237550
出願日： 2005年06月15日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】駆動電圧を低下させ発熱を減少させられるフリップチップ用窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】透光性基板上に形成され、実質的に四角形状の上面を有するn型窒化物半導体層と、上記n型窒化物半導体層の上面の隅に隣接して形成された少なくとも一つのボンディングパッドと、上記ボンディングパッドからn型窒化物半導体層の上面の四辺に沿って帯状に延長され形成された延長電極と、上記ボンディングパッド及び/または上記延長電極から上記n型窒化物半導体層の上面の対角線方向に延長され形成される少なくとも一つの電極指とを含むn側電極;上記n型窒化物半導体層上の上記n側電極が形成されない領域に順次に積層された活性層及びp型窒化物半導体層と、上記p型窒化物半導体層上に形成された高反射性オーミックコンタクト層とを含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透光性基板上に形成され、実質的に四角形状の上面を有するn型窒化物半導体層と、 上記n型窒化物半導体層の上面の隅に隣接して形成された少なくとも一つのボンディングパッドと、上記ボンディングパッドからn型窒化物半導体層の上面の四辺に沿って帯状に延長され形成された延長電極と、上記ボンディングパッド及び/または上記延長電極から上記n型窒化物半導体層の上面の対角線方向に延長され形成される少なくとも一つの電極指とを含むn側電極と、 上記n型窒化物半導体層上の上記n側電極が形成されない領域に順次に積層された活性層及びp型窒化物半導体層と、 上記p型窒化物半導体層上に形成された高反射性オーミックコンタクト層とを含むフリップチップ用窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 N

Fターム (8件)：

5F041AA24 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-101990   出願人：豊田合成株式会社