特許
J-GLOBAL ID：200903044015669546
シリコンエッチング方法およびシリコンエッチング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川崎 実夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-065668
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264160
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：
【要約】【課題】薬液の消費量を抑制することができ、また、シリコンを良好な選択性でエッチングすることができるシリコンエッチング方法およびシリコンエッチング装置を提供する。【解決手段】ウエハWはホットプレート45上に保持されて加熱される。このウエハWに対して、ふっ酸蒸気発生容器43からのふっ酸蒸気が、処理ガス供給路36を介して供給される。また、オゾナイザ62で発生したオゾンガスが、バルブ63および処理ガス供給路36を介してウエハWに供給される。オゾンガスによってウエハWの表層部が酸化されてケミカル酸化膜となり、このケミカル酸化膜がふっ酸蒸気による気相エッチングによって選択的に除去される。
請求項（抜粋）：
シリコンをエッチングするためのシリコンエッチング方法であって、エッチング対象のシリコンの表面にオゾンを含むガスを供給するオゾン供給工程と、上記エッチング対象のシリコンの表面に、薬液を含む蒸気またはケミカルガスを含む蒸気を供給する蒸気供給工程とを含むことを特徴とするシリコンエッチング方法。
Fターム (15件)：
5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB24
, 5F004BB26
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004BC03
, 5F004BC07
, 5F004CA02
, 5F004CA04
, 5F004CA05
, 5F004DA27
, 5F004DB01
, 5F004DB02
, 5F004EA34
