特許
J-GLOBAL ID：200903044017294094

半導体製造装置及び半導体製造方法

発明者：
中山 秀生

中山 秀生 について

, 
乙間 広己

乙間 広己 について


出願人/特許権者：
富士ゼロックス株式会社

富士ゼロックス株式会社 について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271867
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093896
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 電気抵抗または電流量の経時変化を追跡することができ、電気抵抗または電流量から酸化反応の進行度合いを予測して、酸化反応を適切に制御することができる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。【解決手段】 酸化炉10内の半導体前駆体12の近傍に配置されたモニター用サンプル13に接触させた測定用電極プローブ14、16間に所定電圧を印加し、測定用電極プローブ14に接続した電流計15により電流量Iを検出し、コンピュータ18により電流量Iから電気抵抗Rを演算し、電気抵抗Rをモニター20に表示すると共に、電気抵抗Rが所定値になった場合に酸化反応を制御し、半導体前駆体12の酸化可能領域の一部を選択的に酸化して半導体を製造する。
請求項（抜粋）：
酸化炉内の半導体前駆体または半導体前駆体の近傍に配置されたモニター用サンプルの酸化反応中の電気抵抗または電流量を検出する検出手段と、該電気抵抗または電流量に基づいて、酸化炉内の半導体前駆体の酸化反応を制御する反応制御手段と、を備えた半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/66 ,  H01S 5/183
FI (3件)：
H01L 21/31 E ,  H01L 21/66 Q ,  H01S 5/183
Fターム (26件)：
4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB12 ,  4M106BA14 ,  4M106CA01 ,  4M106CA04 ,  4M106CA10 ,  4M106DH09 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045CA12 ,  5F045CB05 ,  5F045GB10 ,  5F073AA65 ,  5F073AB17 ,  5F073CA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA27
引用特許：
審査官引用 (1件)

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