特許
J-GLOBAL ID：200903044017608234
デ-タトランスデュ-サの書込ヘッド内に極先端を形成する方法およびコンピュ-タ大容量記憶装置用読出/書込ヘッド
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-299294
公開番号（公開出願番号）：特開2000-132812
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗(MR)または大型磁気抵抗(GMR)読出/書込ヘッドにおける頂部極先端幅制御のための頂部表面イメージング技術を提供する。【解決手段】 改良された解像度で比較的薄い上部フォトレジスト層(18)がパターニングされ、次に上部フォトレジスト層を反応性イオンエッチング(RIE)マスクとして利用し中間金属またはセラミック層(16)が規定され、次に中間層をエッチングマスクとして使用して、最下層の厚いフォトレジスト層(14)が第2のRIEプロセスにおいて規定される。これによって、サブミクロン極先端幅が大幅に改良されると同時に、高いアスペクト比、垂直プロファイル、著しく改良された臨界寸法制御が提供される。
請求項（抜粋）：
データトランスデューサの書込ヘッド内に極先端を形成する方法であって、基板を設けるステップと、前記基板の上に重なる第1のフォトレジスト層を形成するステップと、前記第1のフォトレジスト層の上に重なる中間層を形成するステップと、前記中間層の上に重なる第2のフォトレジスト層を形成するステップとを含み、前記第2のフォトレジスト層は前記第1のフォトレジスト層よりも比較的薄く、さらに、前記第2のフォトレジスト層をパターニングして、前記第2のフォトレジスト層の中に開口部を作るステップと、前記開口部を一マスクとして利用して前記中間層をエッチングするステップと、前記中間層を他マスクとして利用して前記開口部を通じて前記第1のフォトレジスト層をさらにエッチングするステップと、前記第1のフォトレジスト層内でエッチングされた前記開口部内に前記極先端を形成するステップと、前記第1および第2のフォトレジスト層ならびに前記中間層を除去し、前記極先端を露出させるステップとを含む、データトランスデューサの書込ヘッド内に極先端を形成する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G11B 5/31 D
, G11B 5/31 K
, G11B 5/39
