半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-228260
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043018
出願日： 2005年08月05日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】銅配線を覆って設けられるバリアメタル膜のバリア性能が向上されており、低比誘電率層間絶縁膜から放出されるガスによりバリアメタル膜が酸化されても、銅配線の信頼性や性能、および品質等が低下するおそれの殆ど無い半導体装置を提供する。【解決手段】比誘電率が3以下である絶縁膜3が基板1上に少なくとも1層設けられている。少なくとも一部がこの絶縁膜3内に形成されている凹部10の内面を覆って第1のバリアメタル膜6が設けられている。この第1のバリアメタル膜6の表面を覆って凹部10内に第2のバリアメタル膜7が設けられている。この第2のバリアメタル膜7の表面を覆って凹部10内に第3のバリアメタル膜8が設けられている。この第3のバリアメタル膜8の表面を覆って凹部10内にCu膜11が埋め込まれて設けられている。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板上に少なくとも1層設けられている比誘電率が3以下である絶縁膜と、この絶縁膜に非接触で成膜される状態に対する前記絶縁膜に接触して成膜される状態の体積変化率が2倍以下である材料からなるとともに、少なくとも一部が前記絶縁膜内に形成されている凹部の内面を覆って設けられている第1のバリアメタル膜と、この第1のバリアメタル膜が前記絶縁膜に接触して成膜される際に前記第1のバリアメタル膜に生じる化学変化の伝播を抑制可能な材料からなるとともに、前記第1のバリアメタル膜の表面を覆って前記凹部内に設けられている第2のバリアメタル膜と、この第2のバリアメタル膜の表面を覆って前記凹部内に設けられている第3のバリアメタル膜と、この第3のバリアメタル膜の表面を覆って前記凹部内に埋め込まれて設けられているCu膜と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (2件)：

H01L21/88 R , H01L21/88 M

Fターム (85件)：

5F033HH03 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH14 , 5F033HH15 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH35 , 5F033HH36 , 5F033JJ03 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ14 , 5F033JJ15 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ35 , 5F033JJ36 , 5F033KK01 , 5F033KK03 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK14 , 5F033KK15 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK35 , 5F033KK36 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ16 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033RR29 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033WW00 , 5F033WW09 , 5F033XX05 , 5F033XX06 , 5F033XX13 , 5F033XX20 , 5F033XX24 , 5F033XX28 , 5F033XX33 , 5F033XX34

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-142769 出願人：株式会社ルネサステクノロジ

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