特許

J-GLOBAL ID：200903044027322436

窒化物半導体発光素子とその製法

発明者： 花岡 大介 ,  津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-038282
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246694
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体発光素子の発光寿命と発光強度を改善するとともにクラックの発生を防止する。【解決手段】 窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体の基板表面または窒化物半導体以外の基礎基板上に成長した窒化物半導体基板層表面上に成長させられた窒化物半導体下地層102と、この窒化物半導体下地層上でn型層103〜105とp型層107〜110との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層とを含む発光層106を含む発光素子構造とを含み、発光素子構造を成長させた後においてもその表面に平坦化されていない窪みを含んでいることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体の基板表面または窒化物半導体以外の基礎基板上に成長した窒化物半導体基板層表面上に成長させられた窒化物半導体下地層と、前記窒化物半導体下地層上でn型層とp型層との間において量子井戸層または量子井戸層とこれに接する障壁層を含む発光層を含む発光素子構造とを含み、前記発光素子構造を成長させた後においてもその表面に平坦化されていない窪みを含んでいることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/022

FI (4件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N ,  H01S 5/022

Fターム (30件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65 ,  5F041DA07 ,  5F041EE25 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA72 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA34 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体レーザ素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-117948   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法ならびに半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-127401   出願人：ソニー株式会社