特許

J-GLOBAL ID：200903044029228526

光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置

発明者： 篠原 亘 ,  木山 精一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-072816
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266322
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】大面積の光電変換素子について、そのリーク箇所を検出し、効率良く、かつ高精度でリペアする。【解決手段】逆バイアス印加手段2により逆バイアスされた光電変換素子1の被測定面から出射される赤外線の2次元座標を赤外線検知手段3で検知し、この2次元座標上の各赤外線のエネルギー強度を基準値と比較してリーク箇所であるか否かをリーク箇所判別手段4で判別する。次にリーク箇所であると判別された箇所の2次元座標情報を記憶手段5で記憶する。記憶手段5に記憶されたリーク箇所の2次元座標に基づき、光電変換素子1に対してレーザ光照射位置制御手段6によりレーザ光照射位置を判定し、そこへレーザ光照射手段7によりレーザ光を照射してリペアする。

請求項（抜粋）：

光電変換素子のリーク箇所を検出しリペアするための装置であって、前記光電変換素子に逆バイアスを印加する逆バイアス印加手段と、逆バイアスを印加された前記光電変換素子の被測定面から出射される赤外線を前記被測定面の2次元座標で特定して検知する赤外線検知手段と、前記赤外線検知手段で検知した2次元座標上の各赤外線のエネルギ強度を基準値と比較してリーク箇所であるか否かを判別するリーク箇所判別手段と、前記リーク箇所判別手段でリーク箇所であると判別された箇所の2次元座標情報を記憶する記憶手段と、前記光電変換素子のリーク箇所に対してレーザ光を照射するため、前記記憶手段に記憶された前記リーク箇所の2次元座標情報に基づき前記光電変換素子に対するレーザ光照射位置を制御するレーザ光照射位置制御手段と、前記レーザ光照射位置制御手段によって位置決めされた前記光電変換素子のリーク箇所にレーザ光を照射するレーザ光照射手段とを備える光電変換素子のリーク箇所検出リペア装置。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  G01M 11/00 ,  H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 31/04 K ,  G01M 11/00 T ,  H01L 21/66 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

• アクティブマトリクス液晶ディスプレイおよびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-119961   出願人：三菱電機株式会社
• 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の欠陥検出方法およびその方法を用いた薄膜太陽電池の欠陥検出除去装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-170730   出願人：シャープ株式会社
• 特公平5-005187
  
• 特公平5-005187