特許
J-GLOBAL ID:200903044032485130
トリメチルガリウム、その製造方法およびそのトリメチルガリウムから得られた窒化ガリウム薄膜
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
久保山 隆
, 中山 亨
, 榎本 雅之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-298564
公開番号(公開出願番号):特開2006-111546
出願日: 2004年10月13日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】 有機ケイ素化合物含有量が少なく、GaN層を製造した場合にキャリア濃度を安定して調整できるトリメチルガリウム、およびこのトリメチルガリウムの製造方法、ならびにこのトリメチルガリウムを用いて成膜された窒化ガリウム薄膜を提供する。【解決手段】 本発明のトリメチルガリウムは、全有機ケイ素化合物の濃度が0.1ppm未満であることを特徴とし、このトリメチルガリウムの製造方法は、原料のトリメチルアルミニウムを加水分解し、含有する有機ケイ素化合物を溶媒に抽出後、ガスクロマトグラフ質量分析法によってメチルトリエチルシランを定量し、原料としてメチルトリエチルシラン濃度が0.5ppm未満のトリメチルアルミニウムを選択し、蒸留精製後、塩化ガリウムと反応させ、反応液を蒸留してトリメチルガリウムを得ることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
全有機ケイ素化合物の濃度が0.1ppm未満であることを特徴とするトリメチルガリウム。
IPC (3件):
C07F 5/00
, C23C 16/34
, H01L 21/205
FI (3件):
C07F5/00 H
, C23C16/34
, H01L21/205
Fターム (18件):
4H048AA02
, 4H048BC30
, 4H048VA85
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA38
, 4K030BB13
, 4K030CA05
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030LA14
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AD08
, 5F045BB14
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
特開昭62-132888号公報(第3頁の実施例)
-
有機金属化合物の精製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-149676
出願人:住友化学工業株式会社
審査官引用 (4件)