プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：金本哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-171370
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339984
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】プラズマ処理装置において、ヒータを設けることなく、電極周囲の絶縁体に反応生成物が付着することを防止する。【構成】上部電極41の周辺に位置する絶縁体であるシールドリング43の内部に、熱伝導率が良好な伝導部材44を気密に封入する。プラズマを発生させた際にイオン入射によって発生した熱は、伝導部材44によってシールドリング43の下面全面及び外側表面に伝達されるので、これら表面は高温となって、反応生成物の付着は防止される。

請求項（抜粋）：

処理室内に上部電極と下部電極を上下に対向して有し、少なくともこれら上部電極と下部電極のいずれか一方に高周波電力を供給して処理室内にプラズマを発生させ、処理室内の被処理体に対して処理を施す如く構成された装置において、上部電極又は下部電極の少なくともいずれか一方の周辺部に位置する絶縁体の内部に、熱伝導率が良好な伝導部材が気密に封入されたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-228035
特開平4-078134
半導体プラズマ処理装置の電極カバー
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-085883 出願人：株式会社創造科学, 有限会社宮田技研

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