投影露光方法および投影露光装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206936
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288211
出願日： 1995年08月14日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】【課題】所望の焦点深度を持って微細な周期パタンを容易に露光できるようにすることを目的とする。また、ウエハ上に形成する周期パタンを方向依存性なしに従来より正確に形成できるようにすることを目的とする。【解決手段】フォトマスク2で生じた0次回折光3および±1次回折光4a,4bを像投影面8上に投影させ、0次回折光3と1次回折光4a(あるいは-1次回折光4b)を干渉させる。そして、像投影面8を所定距離だけ光軸方向に移動するなどのことにより、この干渉によって生じる、フォトマスク2上のマスクパタンの結像面におけるピッチの光学像の光強度を消去する。

請求項（抜粋）：

周期マスクパタンが形成された透明基板からなるフォトマスクに、照明光源からの照明光を照射し、これによって得られる前記フォトマスクの透過光を、投影光学系を介してウエハに投影して、前記周期マスクパタンの光学像を前記ウエハ上に形成する投影露光方法において、前記ウエハへの投影露光は、主露光とこの主露光の後に行われる副露光とによって行われ、前記主露光は、前記周期マスクパタンの前記投影光学系の結像面における周期Lが、前記照明光源の露光波長λを2倍して前記投影光学系の開口数で割った値以下のとき、コヒーレンシが0.3以下となる前記照明光を前記フォトマスクへ照射することにより行われ、前記副露光は、前記主露光の位置より光軸方向にΔ=λ/[2{1-(1-λ2/L2)1/2}]ずつ離れていく複数の位置のなかで、少なくとも1箇所の位置において、コヒーレンシが0.3以下の前記照明光を前記フォトマスクに照射することにより行われ、これにより、前記Lの半分の周期の周期パタンを前記ウエハ上に形成することを特徴とする投影露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 502 C , G03F 7/20 521

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平4-204737
投影露光方法および露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-191995 出願人：富士通株式会社
パターン形成方法及び投影露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-332716 出願人：株式会社日立製作所

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