超伝導平面回路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：有我軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-015534
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214758
出願日： 1998年01月28日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】本発明は、超伝導平面回路の超伝導特性を良好に実現するとともに、回路の微細化に対応することができる超伝導平面回路の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板1上に、超伝導体層2、保護膜3及びカーボン層4を形成する工程と、フォトレジスト5を積層して、所望の回路パターンにパターニングする工程と、フォトレジスト5上及びカーボン層4上にAl層6を形成する工程と、フォトレジスト5とともにAl層6を除去する工程と、Al層6をマスクとして、酸素を用いた反応性イオンエッチングを施し、カーボン層4をエッチングする工程と、Al層6及びカーボン層4をマスクとして、Arイオンビームエッチングを施し、保護膜3及び超伝導体層2をエッチングする工程と、酸素を用いた反応性イオンエッチングを施して、保護膜3上のカーボン層4を除去する工程と、を有している。

請求項（抜粋）：

超伝導薄膜上にマスク層を形成した後、反応性イオンエッチングにより、前記マスク層を所定形状にパターニングし、さらに、パターニングされたマスク層を用いて、イオンビームエッチングにより、前記超伝導薄膜をエッチングする工程を含む超伝導平面回路の製造方法において、前記反応性イオンエッチングは、前記超伝導薄膜との反応性の低い反応性ガスを用い、前記マスク層は、前記超伝導薄膜よりもエッチング速度が遅く、かつ、前記イオンビームエッチングの際のイオンビームによる収縮が小さい材料により構成されていることを特徴とする超伝導平面回路の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

超電導薄膜用マスク材
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-032140 出願人：株式会社日立製作所

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