特許
J-GLOBAL ID：200903044126795419
磁気抵抗効果素子、磁気記憶装置、携帯端末装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082107
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280642
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 低保磁力が小さく、低スイッチング磁場の磁気抵抗効果素子等の提供。【解決手段】 外部磁場によって磁化方向が変化する第1の強磁性層3、第1の強磁性層3に積層された非磁性結合層5、非磁性結合層5を介して第1の強磁性層3と積層され、外部磁場によって磁化方向が変化する第2の強磁性層7、第2の強磁性層7と積層された第1の非磁性スペーサ層11、及び第1の非磁性スペーサ層11を介して第2の強磁性層7と積層され、外部磁場下において所定方向の磁化を実質的に保持する第3の強磁性層13を備え、第1の強磁性層3と第2の強磁性層5とが大きさJで磁気結合し、大きさJが-3000[Oe]≦J<0[Oe]、0[Oe]<Jを満たす。また、第1の強磁性層3または第2の強磁性層7と非磁性結合層5との界面の表面粗さを2オングストローム以上とする。
請求項（抜粋）：
外部磁場によって磁化方向が変化する第一の強磁性層と、前記第一の強磁性層に積層された第一の非磁性結合層と、前記第一の非磁性結合層を介して前記第一の強磁性層と積層され、前記外部磁場によって磁化方向が変化する第二の強磁性層と、前記第二の強磁性層と積層された第一の非磁性スペーサ層と、前記第一の非磁性スペーサ層を介して前記第二の強磁性層と積層され、前記外部磁場下において所定方向の磁化を実質的に保持する第三の強磁性層とを備え、前記第一の強磁性層と前記第二の強磁性層とが反強磁性磁気結合してなり、前記磁気結合の大きさJが-3000[Oe]≦J<0を満たすことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (7件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, G11C 11/14
, G11C 11/15
, H01F 10/30
, H01L 27/105
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/14 A
, G11C 11/15
, H01F 10/30
, G01R 33/06 R
, H01L 27/10 447
2G017AA10
, 2G017AD55
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034CA00
, 5D034CA08
, 5E049AC00
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5F083FZ10
