特許
J-GLOBAL ID：200903040739900104
トンネル磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-208442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036165
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 トンネル磁気抵抗効果素子の良好な特性、特に、大きなヘッド出力が得られるようなトンネル磁気抵抗効果素子の仕様を提案する。【解決手段】 下地層の上にトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネル多層膜は、トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層を有し、前記下地層は、トンネル多層膜側の下地層の表面における表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが0.5nm以下、最大高さRmaxが5nm以下、標準偏差粗さRrmsが0.55nm以下であるように構成する。
請求項（抜粋）：
下地層の上にトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記トンネル多層膜は、トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層を有し、前記下地層は、トンネル多層膜側の下地層の表面における表面粗さの状態を示す3つの指標である、中心線平均粗さRaが0.5nm以下、最大高さRmaxが5nm以下、標準偏差粗さRrmsが0.55nm以下であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
引用特許：
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