特許
J-GLOBAL ID：200903044138698699
電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-046383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-236875
出願日： 2000年02月23日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】 カーボンナノチューブにリチウムを蒸着させ陰極として用いることにより、ナノチューブ表面の仕事関数を下げ、放出電流の増大を図ることができる電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法を提供する。【解決手段】 カーボンナノチューブ電子源を真空チャンバー8にセットし、真空排気後に加熱装置1にてナノチューブを加熱し表面の不純物を除去する。次に、リチウム蒸着源4を加熱して得られるリチウム分子線にナノチューブを曝し、数〜数十nmの膜厚のリチウムをナノチューブ表面に蒸着する。その結果、ナノチューブ表面の仕事関数を下げることができ、これを陰極として利用することにより、放出電流の増大を図る。
請求項（抜粋）：
電界放出型電子源において、(a)電気的に絶縁された加熱装置と、(b)該加熱装置によって真空雰囲気で加熱されるリチウム蒸着カーボンナノチューブと、(c)引出電極とを備え、(d)前記リチウム蒸着カーボンナノチューブに所望の負の加速電圧を印加し、前記引出電極に正の電圧を印加し、蒸着されたリチウム原子は、その最外核電子がカーボンナノチューブに電荷移行することで表面に電気二重層を形成し、リチウム蒸着カーボンナノチューブの表面の仕事関数を低下させるように構成したことを特徴とする電界放出型電子源。
IPC (4件)：
H01J 1/304
, C01B 31/02 101
, C23C 14/14
, H01J 9/02
C01B 31/02 101 F
, C23C 14/14 D
, H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
4G046CB08
, 4G046CC06
, 4K029AA04
, 4K029BA02
, 4K029BD00
