特許
J-GLOBAL ID：200903044155168113
高耐熱半導体素子、およびこれを用いた電力変換器
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-092732
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289772
出願日： 2001年03月28日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】主たる課題は、従来にない広い温度範囲での使用に対して熱ストレスの発生を抑えた信頼性の高い高耐熱半導体素子を提供する。【解決手段】本発明の高耐熱半導体素子は、一対の共通電極5,6の間を絶縁性外筒7により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する一個もしくは複数個の半導体チップ1を並置して組み込み、前記半導体チップの少なくとも一方の主電極とこれに対向するパッケージ側の共通電極との間に、各チップ毎に導電性の中間電極3,4を介装し、前記中間電極と共通電極とを、その両者の対向面に施した嵌め込み構造で係止させた半導体素子であって、前記中間電極と半導体チップを、各々の外周を基準として、耐熱性の絶縁ガイド部材10により相互に位置決めする。
請求項（抜粋）：
一対の共通電極の間を絶縁性外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する一個もしくは複数個の半導体チップを並置して組み込み、前記半導体チップの少なくとも一方の主電極とこれに対向するパッケージ側の共通電極との間に、各チップ毎に導電性の中間電極を介装し、前記中間電極と共通電極とを、その両者の対向面に施した嵌め込み構造で係止させた半導体素子であって、前記中間電極と半導体チップを、各々の外周を基準として、耐熱性の絶縁ガイド部材により相互に位置決めしたことを特徴とする高耐熱半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 29/74
H01L 25/04 C
, H01L 29/74 L
