特許
J-GLOBAL ID：200903044169739164

特に光ポンピング用のレーザ装置及びその製造方法

発明者：
ピエール・ドウシエール

ピエール・ドウシエール について

, 
イザベル・リヤン

イザベル・リヤン について


出願人/特許権者：
アルカテル・オプトロニク

アルカテル・オプトロニク について


代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309653
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172228
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 レーザの増幅器部分を構成する半導体ウェーハ(P)の出力面(F1)の劣化を回避する。【解決手段】 ウェーハは出力面(F1)の近くにエキスパンションセグメント(SE)を含む。他の面(F2)は反射性であり、出力面(F1)の近くに置かれた結合ファイバ(FC)中にブラッグ格子(BR)が形成されている。
請求項（抜粋）：
第一面(F1)と第二面(F2)とによって画定される半導体ウェーハ(P)中に形成された活性層(CA)を含む増幅器セグメント(SA)と、共振空洞を形成するように配置された、前記ウェーハの外にある第一リフレクタ(BR)及び第二リフレクタ(F2)とを備え、結合ファイバ(FC)が第一面(F1)の近くに位置する端部(E)を有すること、前記第一リフレクタ(BR)が前記結合ファイバ(FC)中に形成されていること、ならびに活性層(CA)によって放出された光が前記第一面(F1)を横切る前に該光の横方向の拡大を可能にするように、前記ウェーハ(P)が第一面(F1)の近くにエキスパンションセグメント(SE)を含むことを特徴とするレーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/10
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/42 ,  H01S 3/10 Z
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • レーザ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-024962   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
  • 特開昭63-055995
  • 光ファイバの気密封止部構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-217147   出願人：日立電線株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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