特許
J-GLOBAL ID：200903044179338214
プラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-116756
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308384
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 プラズマ・チャンバ内にある程度の堆積物が存在する状態でも、安定したプラズマ放電を開始・継続させ、ウェハ上に残存するポリイミド膜の残渣を再現性良く除去する。【解決手段】 ウェハの全面を覆う感光性の2層目ポリイミド膜7をパターニングすると、ハンダ・ボールの下地膜となるBLM膜6a,6bを露出させるべき開口7a,7bの内部にポリイミド膜の残渣7sがしばしば残る。この残渣7sをスパッタ・エッチングで除去するために枚葉式プラズマ装置を用いると、プラズマ・チャンバ内には残渣の再付着物が蓄積し、プラズマ放電状態が1回の処理ごとに変動する。そこで、放電初期にプラズマ励起用電源の出力を段階的に高めてプラズマ放電状態を安定化させた後、基板バイアス印加用電源の出力を段階的に高めて実質的なスパッタ・エッチングを行う。
請求項（抜粋）：
プラズマ励起用電源と基板バイアス印加用電源とを独立に備えるプラズマ装置のプラズマ・チャンバ内に被処理体を保持し、該被処理体上の残渣をスパッタ・エッチングにより除去するプラズマ処理方法であって、前記プラズマ励起用電源の出力を段階的に増加させながらプラズマ放電状態を安定化させる第1工程と、前記プラズマ励起用電源の出力を前記第1工程における到達出力以上の値に維持しながら実質的なスパッタ・エッチングを行う第2工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/3205
, H01L 21/321
H01L 21/302 N
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 604 S
