特許

J-GLOBAL ID：200903044188958268

窒化アルミニウム焼結体、その製造方法と窒化アルミニウム回路基板、その製造方法

発明者： 大石 克嘉 ,  堀口 昭宏 ,  加曽利 光男 ,  角野 裕康 ,  上野 文雄 ,  門馬 旬 ,  木村 和生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221343
公開番号（公開出願番号）：特開平8-081267
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】 高性能なAlN基板の低コスト化を目的とする。【構成】 周期率表第III aおよび/またはIIa族に属する元素のうち少なくとも1種の元素を含む化合物0.01〜18重量%、およびSiの単体またはSiを含む化合物およびMn単体またはMnを含む化合物を0.01〜10重量%を添加し、非酸化性雰囲気中で1500〜1700°Cで焼結することを特徴とするAlN焼結体の製造方法。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウムに周期率表第III aおよび/またはIIa族に属する元素のうち少なくとも1種の元素を含む化合物、およびSiの単体またはSi含有化合物およびMn単体またはMn含有化合物含むことを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。

IPC (2件)：

C04B 35/581 ,  H05K 1/03 610

FI (2件)：

C04B 35/58 104 B ,  C04B 35/58 104 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭54-100410
  
• 窒化アルミニウム焼結体およびセラミック回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-051708   出願人：株式会社東芝
• 特開昭54-100410