特許
J-GLOBAL ID：200903044199775343
半導体コンデンサおよびこれを備えた半導体装置並びにその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-011544
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214620
出願日： 1998年01月23日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 キャパシタ絶縁膜の信頼性を維持しつつ、高周波数特性の優れた半導体コンデンサおよびこれを備えた半導体装置並びにその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に形成されたシリコン酸化膜2上に形成された下部電極となる多結晶シリコン層3と、該多結晶シリコン層3上の電荷蓄積領域52に形成された誘電体膜としての窒化膜4と、該窒化膜4上に形成された上部電極となる金属層5と、上記電荷蓄積領域52に近接して多結晶シリコン層3上の周辺に形成された金属引出電極6とを備えた半導体コンデンサにおいて、多結晶シリコン層3の表面部のうち、電荷蓄積領域52を除く領域に、高融点金属シリサイド膜10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜上に形成された下部電極となるシリコン成長層と、前記シリコン成長層上の電荷蓄積部形成予定領域に形成された誘電体膜としての窒化膜と、前記シリコン成長層上の他の一部の領域に形成された引出電極と、前記シリコン成長層の表面領域のうち、前記窒化膜と前記引出電極との間の領域の表面部に形成された高融点金属シリサイド膜と、前記窒化膜上に形成された上部電極となる導電金属層とを備えた半導体コンデンサ。
IPC (2件)：
引用特許：
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