特許
J-GLOBAL ID：200903044229520159
ゾルゲル法によるZrO2系固体電解質膜の低温作製法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023768
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214018
出願日： 1998年01月21日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：
【要約】【課題】 ZrO2系薄膜固体電解質を比較的製造コストの低いゾルゲル法により作製し、その製造プロセス温度を低く抑えつつ良好な伝導度特性を有する固体電解質膜を得る事を目的とする。【解決手段】 主成分元素のZrおよび主添加物元素D1としてY、Yb、Luのいずれかを含み、かつ、第二添加物元素D2としてAl、Mg、Siのいずれかを含むゾルゲル液を用意し、このゾルゲル液を多孔質の電極基板の上に塗布し、これを電気炉等の中で熱処理することを特徴とする。【効果】 比較的低い温度でもイオン伝導性に優れた電解質を低温で、かつ簡便に薄膜化できる。
請求項（抜粋）：
主成分元素のZrおよび主添加物元素D1としてY、Yb、Luのいずれかを含み、かつ、第二添加物元素D2としてAl、Mg、Siのいずれかを含むゾルゲル液を用意し、このゾルゲル液を多孔質の電極基板の上に塗布することを特徴とするゾルゲル法によるZrO2系固体電解質膜の低温作製法。
IPC (3件)：
H01M 8/02
, C04B 35/48
, H01M 8/12
H01M 8/02 K
, H01M 8/12
, C04B 35/48 B
