特許

J-GLOBAL ID：200903044241697714

静電チャック及びそのチャックからのシリコンウェハ 離脱方法

発明者： 南 信之 ,  浅井 義博 ,  井上 嘉和
出願人/特許権者： 日本セメント株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118236
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283610
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 印加していた高周波電界を遮断して導通を無くしても、しばらくはシリコンウェハ及び静電チャック間に電荷が残存するため、シリコンウェハを静電チャックから速やかに離脱することができなかった。【解決手段】 上層に誘電体、中層に電極、下層に基盤から成る静電チャックにおいて、該電極を、2系統に分割した電極とし、かつそれらの電極を系統別にバイアホールで接続することとした静電チャック。この静電チャックからのシリコンウェハ離脱方法において、静電チャックに内在する電極に印加しているバイアス電圧を遮断すると同時に、2系統の電極間に電流が1×10-6〜1×10-9Aの交番電圧を印加することによりシリコンウェハを離脱することとした静電チャックからのシリコンウェハ離脱方法。

請求項（抜粋）：

上層に誘電体、中層に電極、下層に基盤から成る静電チャックにおいて、該電極を、2系統に分割した電極とし、かつそれらの電極を系統別にバイアホールで接続することを特徴とする静電チャック。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H02N 13/00

FI (2件)：

H01L 21/68 R ,  H02N 13/00 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-300969   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-252096
  
• 特開昭60-263607